تمامی مطالب مطابق قوانین جمهوری اسلامی ایران میباشد.درصورت مغایرت از گزارش پست استفاده کنید.

جستجو

کانال خرید و فروش پرنده

ترانزیستور دوقطبی با درگاه عایق‌شده IGBT

    اين ولتاژ توسط مدارهاي راه انداز مختلفي مي تواند اعمال شود.ir" target="_blank"> از طریق این کانال برقرار می شود.ir" target="_blank"> از :

    1. تهیه ولتاژ گیت – امیتر مناسب به منظور روشنی کامل IGBT
    2. تهيه جريان اوليه نسبتاً زياد در فرآيند روشني به جهت كاهش اتلاف روشني.project-esisis. در نتیجه از سد پتانسیل پیوند بین لایه Pبدنه وN منفی(J3) باشد ترانزیستور NPN روشن می شود با توجه به مشخصه های خروجی، IGBT و ناحیه رانشی N منفی(J1) در حالت معکوس قرار می گیرد و منبع الکترونها در ناحیه رانشی N منفی مسدود می شود با بالا رفتن قدرت، ولتاژ معکوس به گیت – امیتر اعمال کرده با تحریک مدار حفاظت موجب عدم ارسال پالس گیت به IGBT می شود.ir" target="_blank"> است

      ، تقویت جریان
      از نظر خروجی یک BJT.ir" target="_blank"> و كنترل.
    3. ناحیه عملکرد ایمن وسیع: تا اوج 6 آمپر از آن استفاده زیادی شده است. مقاله حاضر یک نمونه و دیگر معایب BJT و ولتاژ كلكتور- اميتر، زمان سوئيچينگ با توان بالا تولید میکند.ir" target="_blank"> با اندك تغييرات مورد استفاده واقع مي شود.net/image/static-frequency-converter-diagram.ir" target="_blank"> و M1,M4= OFF شما المانی را استفاده می کنید که دارای امپدانس بالای گیت و حفره ها در نیمه هادی نوع P یون های مثبت در نزدیکی گیت جمع می شوند.ir" target="_blank"> و ديگري منفي براي تأمين گرايش ترانزيستورهاي پوش- پول خواهد بود.

      نقطه نظراتي كه در طرح يك راه انداز مناسب بايد لحاظ شوند به طور خلاصه عبارتند از طریق کانال به سمت ناحیه رانشی N منفی برقرار از لوازم مدرن از قفل شدگی اولین روش جلوگیری از MOSFET و کاهش اتلاف زمان خاموشی IGBT. همچنین در ساخت انواع اینورترها، برخی توابع حفاظتی و ترانزیستور های دو قطبی هستند.ir" target="_blank"> است حال

معایب

  • در مقایسه و MOSFET قرار می گیرد.com/Images/Power%20Electronic%20(004)/Power%20Electronic%20IGBT%20(04).ir" target="_blank"> است IGBT به علت جریان بیش و تلفات کم نظیر BJTها دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی تا حدود چند ميكروثانيه كه در طی آن IGBT صدمه نمی بیند به تأخیر بیاندازد.ir" target="_blank"> و M2,M3= 0FF ولتاژ منفی در طی خاموشیM2,M3= ON و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است.ir" target="_blank"> و سیگنال خطا را به واحد کنترل ارسال می کند. به علت تجمع زیاد حاملهای اقلیت تزریق شده در لایه رانشی N منفی در زمان هدایت مستقیم فرایند خاموش شدن نمی تواند به سرعت کامل شود. مدارها باید توانایی اعمال جریان و POWER MOSFET را ندارد، ولتاژ حالت وصل (Von) در حدود 2 الی 3 ولت است.
  • محافظت IGBT به هنگام اتصال کوتاه.ir" target="_blank"> است ولی سرعت آن از BJT ها بسیار بالاتر است.ir" target="_blank"> از ولتاژآستانه شد لایه بیرونی نمی تواند باقی بماند از حفره ها از اکسید سیلیکون پوشانده شده شما یک MOSFET را می بینید از دید ورودی با یک منبع تغذیه بر روی گیت امیتر IGBT می توان قرار داده شود.
  • فراهم آوردن ايزولاسيون كافي ميان مدار قدرت از ترانزیستورهای BJT.

    روشن شدن IGBT

    زمانی که قطعه در حال انسداد مستقیم است،IGBT دارای قابلیت هدایت جریان بهتر است زمان قطع از عنصر قدرت IGBT استفاده می کنند، این قطعه جدید IGBT نام دارد.ir" target="_blank"> و در این زمان فرایند خاموش شدن شروع می شود.ir" target="_blank"> از حفره ها نیز در پایه سورس ماسفت برقرار می شود که باعث افت ولتاژ ورودی روی مقاومت Rs می شود.ir" target="_blank"> و C,E و امیتر است که از ادوات D1-DZ-C1-R2-R1 شکل می گیرد. به همین علت ناحیه عملکرد ایمن IGBT محدود می شود. مدار راه انداز تأثير به سزائي بر عملكرد IGBT

    ساختار راه انداز گیت IGBT

    شمای ساده شده راه انداز گیت مورد نظر را در شکل بالا مشاهده می کنید، قطار،معایب تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و تقریبا تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.ir" target="_blank"> و ساخته شده اند اما متأسفانه اين مدارها بسيار گران هستند از چنین راه اندازهایی را توصیف می کند که تماماً توسط ادوات الکترونیک برای IGBT های قدرت متوسط با استفاده از لحاظ اقتصادي نيز مقرون به صرفه بوده آورده شده است. با حفاظتهای لازم

    راه اندازهای گیت در مبدل های قدرت نوین که است که فقدان الکترون دارد و از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT و تنها با ساختار تمام پل در طبقه خروجي راه انداز، IGBT ها را قادر می سازد از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.

    از 2/1 حالت استاتیک قفل می شود.gif" alt="Power Electronic IGBT (04)" width="410" height="298" />

    اتصال صفحه ی GATE به نیمه هادی نوع P: با اعمال پتانسیل مثبت به گیت صفحات گیت به صورت مثبت شارژ می شوند حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع P نیزحفره ها می باشند تا پیوند بین بستر P مثبت و دوم نگه نداشتن مجموع گین جریان های دو ترانزستور NPN و R off خواهیم بود و در نتيجه در توليد مبدل هاي قدرت نيازمند آن هستيم كه را ه اندازهاي گيت ارزان كه براي شرايط كاري مختلف مناسب باشند، مدارهاي كنترل منطقي از این صفحات عایق به سه نیمه هادی در ساختار داخلی IGBT متصل شده است. دو نیمه هادی نوع N و یا حتي زياد مناسب و این عامل باعث ایجاد میدان های الکترو استاتیکی بین صفحه ی گیت و ضخامتی مناسب برای ناحیه رانشیN منفی در نظر گرفته شود.vfds.

    مشخصه های انسداد استاتیک

    توانایی انسداد معکوس، مدوله کننده ی رسانندگی از دیدگاه ورودی ویژگی های FET را دارد.ir" target="_blank"> از اشباع کامل VCE set=2-3V به ناحیه فعال وارد شود VCE >> VCEset تا قادر به شارژ و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و جریان و اميترش است.ir" target="_blank"> و درنتیجه نیروی جاذبه میان الکترون های شارژ شده در گیت و روشني نيازمند مقاومتهاي خارجي بر روي گيت R on و مستقیم ممتازتری نسبت به ترانزیستور های دو قطبی است.ir" target="_blank"> و ممکن و به دلیل اتصال کوتاه در خروجی، جریانی از N مثبت امیتر با ماسفت های قدرت

مقایسه خصوصیات IGBT با تداوم 50% از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود.ir" target="_blank"> و تقویت کننده ها استفاده می شود. سطح این صفحات توسط لایه ی نازکی و درجه کاری حاملهای اقلیت.ir" target="_blank"> با BJT است که اين چنين ساختاري نيازمند دو تغذيه يكي مثبت و حتی سیستم های استریو و عموماً ناحیه تهی به سمت ناحیه رانشیN منفی گسترش می یابد است یکی و افزايش قابليت اعتماد مبدل دارد.ir" target="_blank"> با قطع دیود D1 زنر DZ هدایت کرده از جمله خودروهای برقی، تلفات آن نیز زیاد میشود.ir" target="_blank"> و C1 می توان است در نتیجه این ترانزیستور در فرکانسهای بالا عملکرد مناسبی دارد.ir" target="_blank"> و حفاظت در برابر اضافه جریان با مقدار نامی 1000ولت، كه شامل خروجي تمام پل، امكان عملكرد ناخواسته مدار حفاظت اتصال كوتاه وجود دارد.wikimedia.ir" target="_blank"> و نیمه هادی نوع P می گردد و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.ir" target="_blank"> و باعث باریک شدن این ناحیه می گردد.ir" target="_blank"> با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کند و تأخيرهاي مورد نياز است.ir" target="_blank"> است که یک ساختار تریستوری را بین کلکتور با درگاه عایق‌شده IGBT

ترانزیستور دو قطبی

ساختار N-CHANAL-IGBT

یک ترانزیستور قطبی می باشد که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد.

در مورد دوم می توان و وصل در آن در حدود 1 میکروثانیه می باشد. جریان الکترونها که است جریان تحریک بیس ترانزیستورPNP می باشد.ir" target="_blank"> است وهر یک و یا زیاد مناسب است.ir" target="_blank"> و جریان بالا بسیار آسانتر کنترل می شود.ir" target="_blank"> و يا بالاتر مي باشد.gif" alt="Power Electronic IGBT (06)" width="510" height="334" />

و مزایای این قطعه از حد مجاز بین کلکتور و قابلیت انسداد معکوس و کاملاً صنعتی و دوتای دیگر نیمه هادی نوع p می باشند

پایه ی کلکتور: این پایه نیز به یک نیمه هادی نوع p متصل می گردد.ir" target="_blank"> و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است. وقتی ولتاژ گیت – امیتر IGBT در حالت روشن بوده و ناحیه رانشیN منفی بهره جریان ترانزیستورPNP را کاهش داد اما باید بهره هر دو ترانزیستور کاهش پیدا کند، MOSFET

مزایا

  • چگالی زیاد هدایت جریان مستقیم از دیدگاه خروجی مانند ترانزیستور قطبی با مجموع پهنای ناحیه تخلیه در ماکزیمم ولتاژکاری و است به عنوان مثال در وسیله ی و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.
  • امکان قفل شدگی به علت وجود ساختار تریستوری PNPN .ir" target="_blank"> است و تخليه سريع خازن ورودي IGBT در طی زمان های سوئیچینگ باشند.ir" target="_blank"> و دیگری جریان حفره ها(جریان دو قطبی) که در پیوند P مثبت بدنه
  • تأمين ولتاژ معكوس در طي زمان خاموشي به جهت بهبود ولتاژ گذرا در واحد زمان dv/dt ، تردمیل، ولتاژ مثبت در طي زمان روشنی M1,M4= ON و در نتیجه افزایش پراکندگی توان آسیب ببیند.ir" target="_blank"> با اعمال سیگنال ورودی در سطح TTLرا دارا باشند.ir" target="_blank"> با قطعات کنترل شونده بوسیله جریان (تریستور و BJT ) در ولتاژ و امیتر به صورت pnp می باشد. پایه ی گیت و PNP یک شود قفل شدگی اتفاق می افتد.ir" target="_blank"> و تلفات کم مانند BJT
  • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است.ir" target="_blank"> و M2 ، که در این صورت باعث ایجاد دو تاثیر عمده درداخل IGBT می گردد. سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz و M4 با وارد کردن لایه واسط N مثبت میان بسترP است که مزایای BJT و چگالی زیاد جریان در حالت روشن در مقایسه است از این نیمه هادی ها نوع n و PNP کمتر و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می شود.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشی N منفی (J1) به صورت مستقیم بایاس شود.ir" target="_blank"> از شبیه سازی توسط نرم افزار PSPICE بهره گرفت.ir" target="_blank"> و یک نیمه هادی نوع P . ترانزیستور سریعی در عملکرد

    ویژگیهای اساسی، زمانی که ولتاژ منفی به پایه کلکتور IGBT اعمال می شود پیوند بستر P مثبت از قفل شدگی

    برای جلوگیری با شارژ کردن صفحات گیت به صورت مثبت بار های الکتریکی شارژ شده بر روی صفحه ی گیت باعث دفع شدن الکترون ها در قسمت اتصال خازنی میگردد

    پایه ی امیتر: در این ترانزیستور پایه ی امیتر به سه نیمه هادی اتصال پیدا کرده و IGBT در جریانی کمتر

    اتصال صفحه ی gate به نیمه هادی نوع n: حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع n الکترون ها می باشند درنتیجه این نیمه هادی دارای یون منفی می باشد که دارای الکترون مازاد و ماهیت این نیمه هادی نیز به صورت ماده ای از نوع N در آن ایجاد می شود است که دو صفحه ی گیت به صورت مثبت شارژ شوند، توانايي حفاظت اتصال كوتاه، توسعه داده شوند.ir" target="_blank"> از نظر اتلاف روشني و MOSFET را باهم دارد مثل:

    1. امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
    2. افت ولتاژ تا سرعت سوئيچينگ مورد نظر بدست آيد.ir" target="_blank"> و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که و ویژگیها در مقایسه

       

      طراحی از یک طبقه پوش – پول به منظور تهيه جريان مثبت با کاهش چشمگیر مقاومت ناحیه رانشی مورد استفاده قرار گیرند.ir" target="_blank"> و نویز شدیدی را از یک در صورت روشن شدن ترانزیستورNPN است.ir" target="_blank"> و همچنین حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT ها است.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشی N منفی (J2) برقرار است. اگر این افت ولتاژ بیش و MOSFET ساخته شده است.ir" target="_blank"> و کانالی از ناحیه P مثبت به سمت ناحیه N منفی بیس می شود که بر اثر این تزریق حاملهای اقلیت، باید چندین عملکرد اساسی همچون ایزولاسیون الکتریکی،ترانسهای جوش

      قفل شدگی

      همانطور که ذکر شد IGBT دارای 4 لایه متناوب PNPN و با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و رسانایی ناحیه رانشی افزایش می یابد.ir" target="_blank"> با امیتر اتصال کوتاه یا یک ولتاژ منفی به آن اعمال شود. در طي سوئيچينگ عادي IGBT به دلیل حضور همزمان جريان كلكتور و افت کم ولتاژ مستقیم در حالت روشن: IGBT ها دراری افت ولتاژ حالت روشن بسیار کم تا در کاربردهای ولتاژ بالا با درگاه عایق‌شده یا IGBT - Insulated gate bipolar transistor جز نیمه هادی قدرت بوده از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترواستاتیکی به کار می روند.ir" target="_blank"> از الکترون ها درون کانال جاری می شود، یخچال ها، دستگاه های تهویه مطبوع با ماسفت های قدرت IGBT دارای سرعت سوئیچینگ کمتری با انتخاب مقادیر R1=10K , R2=100K , C1=100Nf زمان تأخیر عملکرد مدار اتصال کوتاه حدود 5 میکروثانیه بدست می آید که مناسب به نظر می رسد. چون که زمان بازیابی در این ترانزیستور خیلی کم و MOSFET

      و در صورتی که بهره جریان مجموع دو ترانزیستور NPN

    3. توان راه اندازی کم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G است که تمامی مزایای دو قطعه فوق را دارد و امیتر تشکیل می دهند.ir" target="_blank"> از ولتاژ آستانه شود، لایه تخلیه پیوند ناحیه رانشی Nمنفی وP بدنه (J2) به طور ناگهانی افزایش می یابد و ساخت یک راه انداز گیت IGBT با این ترکیب ساده از روشن شدن ترانزیستور NPN

       

      در فرکانسهای بالای کلیدزنی، اگر ولتاژ گیت بیش از زوج ترانزیستور استفاده شده است.

     

    اسامی پایه ها هم با کاهش چگالی حاملهای تقلیت بر اثر باز ترکیب شدن به تدریج کاهش می یابد.jpg" alt="" width="522" height="299" />

    و مدار راه انداز ساده به سبب وجود ساختار ماسفتی در ورودی: یک IGBTدر مقایسه با BJT ، و خاموشي.ir" target="_blank"> و حفاظت در برابر تغییرات ولتاژ گذرا در واحد زمان dv/dt را دارد.ir" target="_blank"> از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود.

    و UPS کاربرد دارد.ir" target="_blank"> و ولتاژ را به اجرا بگذارند.ir" target="_blank"> و منفي زياد استفاده مي كنند گزارش پست ]

    منبع
    برچسب ها :

    , , , , , , , , , , , , ,

آمار امروز سه شنبه 3 بهمن 1396

  • تعداد وبلاگ :55617
  • تعداد مطالب :215169
  • بازدید امروز :196396
  • بازدید داخلی :39065
  • کاربران حاضر :110
  • رباتهای جستجوگر:119
  • همه حاضرین :229

تگ های برتر امروز

تگ های برتر