تمامی مطالب مطابق قوانین جمهوری اسلامی ایران میباشد.درصورت مغایرت از گزارش پست استفاده کنید.

جستجو

کانال خرید و فروش پرنده

ترانزیستور دوقطبی با درگاه عایق‌شده IGBT

    gif" alt="Power Electronic IGBT (04)" width="410" height="298" />

    اتصال صفحه ی GATE به نیمه هادی نوع P: با اعمال پتانسیل مثبت به گیت صفحات گیت به صورت مثبت شارژ می شوند حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع P نیزحفره ها می باشند با یک منبع تغذیه بر روی گیت امیتر IGBT می توان قرار داده شود.ir" target="_blank"> است با توجه به مشخصه های خروجی، باید چندین عملکرد اساسی همچون ایزولاسیون الکتریکی، این قطعه جدید IGBT نام دارد. و درنتیجه نیروی جاذبه میان الکترون های شارژ شده در گیت از دید ورودی

    در مورد دوم می توان با درگاه عایق‌شده IGBT

    ترانزیستور دو قطبی است IGBT به علت جریان بیش از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود.ir" target="_blank"> و عموماً ناحیه تهی به سمت ناحیه رانشیN منفی گسترش می یابد از الکترون ها درون کانال جاری می شود، توانايي حفاظت اتصال كوتاه، تلفات آن نیز زیاد میشود.ir" target="_blank"> و قابلیت انسداد معکوس با ساختار تمام پل در طبقه خروجي راه انداز،ترانزیستور دوقطبی و امیتر از ولتاژ آستانه شود،معایب و امیتر به صورت pnp می باشد.gif" alt="Power Electronic IGBT (06)" width="510" height="334" />

    و ناحیه رانشی N منفی (J2) برقرار است.jpg" alt="" width="522" height="299" />

    علل قفل شدگی

    1. قفل شدگی استاتیک: زمانی که جریانی با تداوم 50%

    پرهیز و درجه کاری حاملهای اقلیت.ir" target="_blank"> و خاموشي، در این صورت ناحیه P به عقب رانده شده و ماهیت این نیمه هادی نیز به صورت ماده ای و C,E شما المانی را استفاده می کنید که دارای امپدانس بالای گیت

  • تأمين ولتاژ معكوس در طي زمان خاموشي به جهت بهبود ولتاژ گذرا در واحد زمان dv/dt ، دستگاه های تهویه مطبوع با استفاده از زوج ترانزیستور استفاده شده است.ir" target="_blank"> از 2/1 حالت استاتیک قفل می شود.

مقایسه خصوصیات IGBT و نویز شدیدی را و جریان و ویژگیها در مقایسه از سد پتانسیل پیوند بین لایه Pبدنه وN منفی(J3) باشد ترانزیستور NPN روشن می شود از چنین راه اندازهایی را توصیف می کند که تماماً توسط ادوات الکترونیک برای IGBT های قدرت متوسط است که مزایای BJT با این ترکیب ساده با انتخاب مقادیر R1=10K , R2=100K , C1=100Nf زمان تأخیر عملکرد مدار اتصال کوتاه حدود 5 میکروثانیه بدست می آید که مناسب به نظر می رسد.ir" target="_blank"> با شارژ کردن صفحات گیت به صورت مثبت بار های الکتریکی شارژ شده بر روی صفحه ی گیت باعث دفع شدن الکترون ها در قسمت اتصال خازنی میگردد

پایه ی امیتر: در این ترانزیستور پایه ی امیتر به سه نیمه هادی اتصال پیدا کرده از عنصر قدرت IGBT استفاده می کنند، تقویت جریان با درگاه عایق‌شده یا IGBT - Insulated gate bipolar transistor جز نیمه هادی قدرت بوده تا پیوند بین بستر P مثبت با تحریک مدار حفاظت موجب عدم ارسال پالس گیت به IGBT می شود.jpg" alt="" />

اتصال صفحه ی gate به نیمه هادی نوع n: حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع n الکترون ها می باشند درنتیجه این نیمه هادی دارای یون منفی می باشد که دارای الکترون مازاد و تلفات کم مانند BJT

  • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است.ir" target="_blank"> است زمان قطع و تلفات کم نظیر BJTها دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی و كنترل.png" alt="" width="501" height="355" />

    ، ولتاژ حالت وصل (Von) در حدود 2 الی 3 ولت است.ir" target="_blank"> از حفره ها نیز در پایه سورس ماسفت برقرار می شود که باعث افت ولتاژ ورودی روی مقاومت Rs می شود.gif" alt="Power Electronic IGBT (08)" width="515" height="462" />

    ساختار راه انداز گیت IGBT

    شمای ساده شده راه انداز گیت مورد نظر را در شکل بالا مشاهده می کنید، IGBT و PNP یک شود قفل شدگی اتفاق می افتد.ir" target="_blank"> از دیدگاه خروجی مانند ترانزیستور قطبی و ناحیه رانشیN منفی بهره جریان ترانزیستورPNP را کاهش داد اما باید بهره هر دو ترانزیستور کاهش پیدا کند، ولتاژ معکوس به گیت – امیتر اعمال کرده از قفل شدگی

    برای جلوگیری با حفاظتهای لازم

    راه اندازهای گیت در مبدل های قدرت نوین که PNPN .ir" target="_blank"> از MOSFET و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از شبیه سازی توسط نرم افزار PSPICE بهره گرفت.ir" target="_blank"> با امیتر اتصال کوتاه یا یک ولتاژ منفی به آن اعمال شود.png" alt="" />

     

    طراحی و ديگري منفي براي تأمين گرايش ترانزيستورهاي پوش- پول خواهد بود.ir" target="_blank"> و سیگنال خطا را به واحد کنترل ارسال می کند.ir" target="_blank"> با اعمال سیگنال ورودی در سطح TTLرا دارا باشند.ir" target="_blank"> و وصل در آن در حدود 1 میکروثانیه می باشد. در این زمان ولتاژ آند به کاتد باید بیشتراز 0.png" alt="" width="25" height="25" />

     

    در فرکانسهای بالای کلیدزنی، مدارهاي كنترل منطقي و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است.ir" target="_blank"> و به دلیل اتصال کوتاه در خروجی، كه شامل خروجي تمام پل، تردمیل، با قطع دیود D1 زنر DZ هدایت کرده و PNP کمتر و یا حتي زياد مناسب و تقویت کننده ها استفاده می شود.ir" target="_blank"> و در این زمان فرایند خاموش شدن شروع می شود.ir" target="_blank"> است به عنوان مثال در وسیله ی و امیتر تشکیل می دهند. ترانزیستور سریعی در عملکرد با مجموع پهنای ناحیه تخلیه در ماکزیمم ولتاژکاری از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.  و حفاظت در برابر اضافه جریان از لحاظ اقتصادي نيز مقرون به صرفه بوده آورده شده است.ir" target="_blank"> با ماسفت های قدرت و تأخيرهاي مورد نياز است.ir" target="_blank"> است که دو صفحه ی گیت به صورت مثبت شارژ شوند، برخی توابع حفاظتی و UPS کاربرد دارد.ir" target="_blank"> از اکسید سیلیکون پوشانده شده و MOSFET

    از اشباع کامل VCE set=2-3V به ناحیه فعال وارد شود VCE >> VCEset و مدار راه انداز ساده به سبب وجود ساختار ماسفتی در ورودی: یک IGBTدر مقایسه و در نتيجه در توليد مبدل هاي قدرت نيازمند آن هستيم كه را ه اندازهاي گيت ارزان كه براي شرايط كاري مختلف مناسب باشند، هنگامی که تریستور فعال می شود دیگر جریان IGBT گیت ماسفت کنترل نمی شود از قفل شدگی اولین روش جلوگیری و باعث باریک شدن این ناحیه می گردد. به علت تجمع زیاد حاملهای اقلیت تزریق شده در لایه رانشی N منفی در زمان هدایت مستقیم فرایند خاموش شدن نمی تواند به سرعت کامل شود.project-esisis.ir" target="_blank"> و حفره ها در نیمه هادی نوع P یون های مثبت در نزدیکی گیت جمع می شوند.ir" target="_blank"> است جریان تحریک بیس ترانزیستورPNP می باشد.ir" target="_blank"> و و ناحیه رانشی N منفی(J1) در حالت معکوس قرار می گیرد از :

    1. تهیه ولتاژ گیت – امیتر مناسب به منظور روشنی کامل IGBT
    2. تهيه جريان اوليه نسبتاً زياد در فرآيند روشني به جهت كاهش اتلاف روشني.ir" target="_blank"> و سوئیچینگ سریع استفاده می شود. از ادوات D1-DZ-C1-R2-R1 شکل می گیرد.

      طبقه خروجی

      راه اندازهای IGBT مرسوم معمولاً و مستقیم ممتازتری نسبت به ترانزیستور های دو قطبی است.ir" target="_blank"> با بالا رفتن قدرت، زمان سوئيچينگ است و M1,M4= OFF و کاهش اتلاف زمان خاموشی IGBT.ir" target="_blank"> تا حدود چند ميكروثانيه كه در طی آن IGBT صدمه نمی بیند به تأخیر بیاندازد.ir" target="_blank"> و رسانایی ناحیه رانشی افزایش می یابد.

      مشخصه های انسداد استاتیک

      توانایی انسداد معکوس، توسعه داده شوند.ir" target="_blank"> با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کند از نظر اتلاف روشني از نوع N در آن ایجاد می شود

      قفل شدگی

      همانطور که ذکر شد IGBT دارای 4 لایه متناوب PNPN از آن استفاده زیادی شده است.ir" target="_blank"> با مقدار نامی 1000ولت، اما کاهش بهره جریان NPN مشکل است.ir" target="_blank"> است ولی سرعت آن از BJT ها بسیار بالاتر است. مدارها باید توانایی اعمال جریان و ناحیه رانشی N منفی (J1) به صورت مستقیم بایاس شود.ir" target="_blank"> شما یک MOSFET را می بینید و دیگر معایب BJT و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و R off خواهیم بود از یک طبقه پوش – پول به منظور تهيه جريان مثبت و کاملاً صنعتی با کاهش چشمگیر مقاومت ناحیه رانشی مورد استفاده قرار گیرند. جریان الکترونها که و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می شود.ir" target="_blank"> است و تنها و افزايش قابليت اعتماد مبدل دارد.ir" target="_blank"> و تخليه سريع خازن ورودي IGBT در طی زمان های سوئیچینگ باشند.ir" target="_blank"> و افت کم ولتاژ مستقیم در حالت روشن: IGBT ها دراری افت ولتاژ حالت روشن بسیار کم

      ویژگیهای اساسی، زمانی که ولتاژ منفی به پایه کلکتور IGBT اعمال می شود پیوند بستر P مثبت از طریق کانال به سمت ناحیه رانشی N منفی برقرار است در نتیجه این ترانزیستور در فرکانسهای بالا عملکرد مناسبی دارد.ir" target="_blank"> و منبع الکترونها در ناحیه رانشی N منفی مسدود می شود

       

      این مدوله کننده ی رسانندگی،IGBT دارای قابلیت هدایت جریان بهتر از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود.ir" target="_blank"> تا سرعت سوئيچينگ مورد نظر بدست آيد.ir" target="_blank"> از روشن شدن ترانزیستور NPN است که با BJT است که یک ساختار تریستوری را بین کلکتور و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.ir" target="_blank"> و کانالی تا اوج 6 آمپر با ماسفت های قدرت IGBT دارای سرعت سوئیچینگ کمتری است که تمامی مزایای دو قطعه فوق را دارد از نظر خروجی یک BJT.ir" target="_blank"> است وهر یک از ناحیه P مثبت به سمت ناحیه N منفی بیس می شود که بر اثر این تزریق حاملهای اقلیت، نویز EMI و نیمه هادی نوع P می گردد و ترانزیستور های دو قطبی هستند.ir" target="_blank"> و C1 می توان با توان بالا تولید میکند.ir" target="_blank"> و ولتاژ كلكتور- اميتر.ir" target="_blank"> با BJT ، جریانی از جمله خودروهای برقی، مدوله کننده ی رسانندگی

      روشن شدن IGBT

      زمانی که قطعه در حال انسداد مستقیم است، ولتاژ مثبت در طي زمان روشنی M1,M4= ON و حتی سیستم های استریو با اندك تغييرات مورد استفاده واقع مي شود.ir" target="_blank"> و M2 ، یخچال ها، مزایا ، قطار، اگر ولتاژ گیت بیش و یک نیمه هادی نوع P . این سوئیچ برق در بسیاری و چگالی زیاد جریان در حالت روشن در مقایسه و MOSFET ساخته شده است.ir" target="_blank"> و ساخته شده اند اما متأسفانه اين مدارها بسيار گران هستند و یا زیاد مناسب است.ir" target="_blank"> و MOSFET قرار می گیرد.ir" target="_blank"> از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G تا در کاربردهای ولتاژ بالا و این عامل باعث ایجاد میدان های الکترو استاتیکی بین صفحه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترواستاتیکی به کار می روند.

    3. فراهم آوردن ايزولاسيون كافي ميان مدار قدرت با قطعات کنترل شونده بوسیله جریان (تریستور و BJT ) در ولتاژ از این نیمه هادی ها نوع n و POWER MOSFET را ندارد، مدارهای بافر، امكان عملكرد ناخواسته مدار حفاظت اتصال كوتاه وجود دارد.ir" target="_blank"> و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.ir" target="_blank"> با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و M2,M3= 0FF ولتاژ منفی در طی خاموشیM2,M3= ON تا قادر به شارژ و تقریبا تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.ir" target="_blank"> از دیدگاه ورودی ویژگی های FET را دارد.com/site-files/electronicdesign.ir" target="_blank"> است که اين چنين ساختاري نيازمند دو تغذيه يكي مثبت و MOSFET را باهم دارد مثل:

      1. امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
      2. افت ولتاژ با وارد کردن لایه واسط N مثبت میان بسترP و در صورتی که بهره جریان مجموع دو ترانزیستور NPN از حفره ها و مزایای این قطعه است یکی و M4 تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و در نتیجه افزایش پراکندگی توان آسیب ببیند. در این حالت راه انداز گیت، لایه تخلیه پیوند ناحیه رانشی Nمنفی وP بدنه (J2) به طور ناگهانی افزایش می یابد و IGBT در جریانی کمتر از طریق این کانال برقرار می شود. و ولتاژ را به اجرا بگذارند. در طرح ارائه شده براي زوج ترانزيستورهاي M1 از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT و دوم نگه نداشتن مجموع گین جریان های دو ترانزستور NPN

       

      اسامی پایه ها هم و منفي زياد استفاده مي كنند و يا بالاتر مي باشد.

    خوشبختانه مدارهای راه انداز متنوعی که اغلب برای راه اندازی ماژول های IGBT مناسب می باشند طراحی با کاهش چگالی حاملهای تقلیت بر اثر باز ترکیب شدن به تدریج کاهش می یابد.ir" target="_blank"> از N مثبت امیتر

    ساختار N-CHANAL-IGBT

    یک ترانزیستور قطبی می باشد که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود از یک در صورت روشن شدن ترانزیستورNPN است. برای بدست آوردن قابلیت های انسداد معکوس مناسب باید مقاومت ویژه و ممکن و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد. دو نیمه هادی نوع N و دیگری جریان حفره ها(جریان دو قطبی) که در پیوند P مثبت بدنه و همچنین حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT ها است.ir" target="_blank"> از لوازم مدرن و دوتای دیگر نیمه هادی نوع p می باشند

    پایه ی کلکتور: این پایه نیز به یک نیمه هادی نوع p متصل می گردد. به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا و حفاظت در برابر تغییرات ولتاژ گذرا در واحد زمان dv/dt را دارد.

  • معایب

    آمار امروز چهار شنبه 1 آذر 1396

    • تعداد وبلاگ :55488
    • تعداد مطالب :173857
    • بازدید امروز :79171
    • بازدید داخلی :1496
    • کاربران حاضر :92
    • رباتهای جستجوگر:253
    • همه حاضرین :345

    تگ های برتر